散热与结温：每升高 10 ℃ 寿命减半

结温与寿命

LD 的失效率服从 Arrhenius 规律，经验上结温每升高 10 ℃，中位寿命约减半。蓝光 GaN 器件典型额定结温 ≤ 125 ℃，但要拿到几万小时寿命，结温建议控制在 60 ℃ 以下。

热阻链

发热点在芯片有源区，热量依次经过：芯片 → 热沉（焊料层）→ TO 管座 → 散热座（界面：压配/导热膏）→ 外壳/风冷。TO-56 封装的 Rth(j-c) 约 1520 K/W，一颗 1.6 W 光功率、电功率约 5.5 W 的器件，仅封装内部就有约 6080 K 温升，所以散热座必须和管座紧密接触，并且散热座本身温升要控制在 20 K 以内。

常见问题

• 散热座孔径公差过大，管座只靠边缘接触，接触热阻翻倍。
• 用了导热胶却没压紧，胶层厚度 > 0.1 mm。
• 只看外壳温度不看功率衰减：在同样电流下光功率随温升下降 0.5%/K，是判断过热最直接的信号。